SiH分子特性和势能函数的外场效应

• 作者: 伍冬兰 吴爱金 曾学锋 温玉锋 谢安东
• 来源期刊: 四川大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: SiH分子 势能函数模型 外电场
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 579-584
• 页数: 6页
• 分类号: O561.3
• 字数: 3425字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0490-6756.2017.03.026

摘要

设置不同的外电场参量,采用B3P86/cc-PV5Z方法优化计算,获得不同外电场中SiH分子的键长、偶极矩、振动频率和红外光谱等物理性质参数.在此基础上采用单双取代耦合团簇CCSD(T)方法和相同的基组,扫描计算单点能获得相关势能曲线.结果表明在外电场中物理性质参数和势能都发生了较大变化,且在反向电场中变化幅度更明显.为了分析外电场效应,本文引入偶极近似构建外电场中的势能函数模型,编制程序拟合对应的势能函数,得出拟合参数,进而计算临界离解电场参量,结果与数值计算和理论分析较为一致,误差都在4％以内,说明构建的模型是合理和可靠的.这为分析外电场中分子光谱、动力学特性和分子Stark效应冷却囚禁提供一定的理论和实验参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢安东	井冈山大学数理学院	76	176	6.0	8.0
2	伍冬兰	井冈山大学数理学院	73	147	5.0	7.0
3	曾学锋	井冈山大学数理学院	14	25	3.0	3.0
4	吴爱金	井冈山大学数理学院	6	7	2.0	2.0
5	温玉锋	井冈山大学数理学院	9	16	3.0	3.0