Si空位缺陷对β-FeSi2电子结构和光学性质影响的研究

• 作者: 周士芸 张在玉 张春红 邓永荣 闫万珺 骆远征
• 来源期刊: 四川大学学报（自然科学版）
• 学科: 其他
• 关键词: β-FeSi2 第一性原理 空位 电子结构 光学特性
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 573-578
• 页数: 6页
• 分类号: O474|O881.1
• 字数: 2957字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0490-6756.2017.03.025

摘要

采用基于密度泛函理论的赝势平面波方法对含Si空位的β-FeSi2缺陷体系的几何结构、能带结构、态密度和光学性质进行计算.结果表明,Si空位引起了晶格结构发生畸变,能带变窄,在价带与导带之间形成一个独立能带,费米面整体向上发生微小偏移,形成了P型半导体.对光学性质的研究发现,由于Si空位的介入使其邻近原子电子结构发生变化,静态介电常数ε1(0)增大;ε2的第一峰的位置向低能端移动,吸收系数发生微小红移.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张春红	安顺学院贵州省高等学校航空电子电气与信息网络工程中心	23	59	5.0	7.0
2	周士芸	安顺学院贵州省高等学校航空电子电气与信息网络工程中心	30	82	5.0	6.0
3	邓永荣	安顺学院贵州省高等学校航空电子电气与信息网络工程中心	22	29	3.0	5.0
4	闫万珺	安顺学院贵州省高等学校航空电子电气与信息网络工程中心	30	66	5.0	7.0
5	张在玉	安顺学院贵州省高等学校航空电子电气与信息网络工程中心	13	21	3.0	4.0
6	骆远征	安顺学院数理学院	16	8	1.0	2.0