X波段GaN收发前端芯片设计

• 作者: 刘福海 陈南庭 鲁丽丽
• 来源期刊: 电子测试
• 关键词: 前端芯片 测试
• 年，卷（期）: 2017,（10）
• 所属期刊栏目: 设计与研发
• 页码范围: 16-17
• 页数: 2页
• 字数: 729字
• 语种: 中文

摘要

本文设计了一款基于0.25 um氮化镓PHEMT工艺的8.5-10.5GHz MMIC收发前端芯片,该收发前端由一个功率放大器和一个单刀双掷开关组成.经仿真优化后,在工艺线上进行了流片,并载片测试了其性能参数.测试结果显示,发射路的功率放大器饱和输出功率大于33dBm,功率附加效率39%.接收路开关插入损耗0.6dB,开关隔离度大于37dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘福海	中国电子科技集团公司第十三研究所	2	1	1.0	1.0
2	鲁丽丽	中国电子科技集团公司第十三研究所	2	1	1.0	1.0
3	陈南庭	中国电子科技集团公司第十三研究所	1	0	0.0	0.0