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摘要:
制作了N电极为Ti/Al/Ni/Au结构的垂直LED芯片.由于电极结构中含有容易迁移的金属Al,在高电流密度下存在可靠性风险.通过改变Al层的厚度,研究了其对芯片可靠性的影响.结果表明,当Al的厚度增加时,芯片的可靠性将会改善.当厚度达到2000A时,高温高湿老化条件下,没有明显的光衰出现.改善机制可能是Al层变厚使得Al原子受到更强的Al-Al键束缚,迁移不容易发生.
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文献信息
篇名 电极中Al层对LED芯片可靠性的影响
来源期刊 电子质量 学科 工学
关键词 LED芯片 可靠性 电极结构 Al
年,卷(期) 2017,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 33-37
页数 5页 分类号 TN306
字数 1858字 语种 中文
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电子质量
月刊
1003-0107
44-1038/TN
大16开
广州市五羊新城广兴花园32号一层
46-39
1980
chi
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15176
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