基于0.18μm CMOS工艺实现无EPI新型LDMOS器件

• 作者: 段力 许贻梅 钱文生
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 0.18μm LDMOS 器件流片测试 击穿电压 导通电阻 直流特性
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 工艺与制造
• 页码范围: 62-67
• 页数: 6页
• 分类号: TN405
• 字数: 3479字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2017.04.014

摘要

应对电源管理市场对18V高压应用的需求,研制了一种无EPI、在一般Si衬底片上的、基于0.18μ m CMOS工艺技术的集成横向扩散,金属一氧化物一半导体场效应晶体管(LDMOS).运用Sentaurus器件仿真模拟软件完成了18 V LDMOS的设计与优化,并结合实际的流片测试结果,对器件的直流特性、击穿电压、导通电阻进行了表征和分析.设计研制成的LDMOS不仅尺寸小、结构简单,而且可以和低压器件自主隔离集成在一起,器件性能优良且性能稳定,可以满足电源管理芯片对耐高压的基本需求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	段力	上海交通大学微纳电子学院	14	15	2.0	3.0
2	钱文生		2	1	1.0	1.0
3	许贻梅	上海交通大学微纳电子学院	1	0	0.0	0.0