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摘要:
针对电火花加工过程中材料去除率、表面粗糙度和电极损耗这3个工艺目标不能同时兼顾的问题,以P型单晶硅为试验加工对象,采用中心组合设计试验考察峰值电流、脉冲宽度、脉冲间隔对单晶硅电火花成形加工过程中材料去除率、表面粗糙度以及电极损耗的影响,引入响应曲面法建立材料去除率、表面粗糙度和电极损耗的2阶关系模型,方差分析结果表明响应模型具有很好的拟合程度和适应性.进一步分析实际加工条件对工艺参数的约束,以提高材料去除率,降低表面粗糙度和电极损耗为目标建立工艺参数优化模型,设计基于带精英策略的非支配排序遗传算法对优化问题进行求解.在最优解条件下材料去除率的验证结果与理论最优值的平均相对误差为4.9%,表面粗糙度的验证结果与理论最优值的平均相对误差为5.2%,电极损耗的验证结果与理论最优值的平均相对误差为5.7%.验证试验表明,该算法能实现硅材料放电成形加工过程的工艺参数优化.
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文献信息
篇名 单晶硅电火花成形加工试验研究与工艺参数优化
来源期刊 兵工学报 学科 工学
关键词 机械制造工艺与设备 电火花成形加工 P型单晶硅 材料去除率 表面粗糙度 电极损耗 遗传算法
年,卷(期) 2017,(9) 所属期刊栏目 研究简报
研究方向 页码范围 1854-1861
页数 8页 分类号 TG661
字数 4767字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-1093.2017.09.024
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李淑娟 西安理工大学机械与精密仪器工程学院 137 1091 18.0 27.0
2 辛彬 西安理工大学机械与精密仪器工程学院 7 3 1.0 1.0
3 李玉玺 7 17 2.0 4.0
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研究主题发展历程
节点文献
机械制造工艺与设备
电火花成形加工
P型单晶硅
材料去除率
表面粗糙度
电极损耗
遗传算法
研究起点
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