量子阱结构对含V形坑InGaN/GaN蓝光LED效率衰减的影响

• 作者: 刘军林 吕全江 吴小明 张建立 江风益 莫春兰
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅衬底 InGaN/GaN蓝光LED 效率衰减 V形坑 量子阱结构
• 年，卷（期）: 2017,（7）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 923-929
• 页数: 7页
• 分类号: O484.4|TN383+.1
• 字数: 3208字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20173807.0923

摘要

使用MOCVD在图形化Si衬底上生长了含V形坑的InGaN/GaN蓝光LED.通过改变生长温度,生长了禁带宽度稍大的载流子限制阱和禁带宽度稍小的发光阱,研究了两类量子阱组合对含V形坑InGaN/GaN基蓝光LED效率衰减的影响.使用高分辨率X射线衍射仪和LED电致发光测试系统对LED外延结构和LED光电性能进行了表征.结果表明:限制阱靠近n层、发光阱靠近p层的新型量子阱结构,在室温75 A/cm2时的外量子效率相对于其最高点仅衰减12.7%,明显优于其他量子阱结构的16.3%、16.0%、28.4%效率衰减,且只有这种结构在低温时(T≤150 K)未出现内量子效率随电流增大而剧烈衰减的现象.结果表明,合理的量子阱结构设计能够显著提高电子空穴在含V形坑量子阱中的有效交叠,促进载流子在阱间交互,提高载流子匹配度,抑制电子泄漏,从而减缓效率衰减、提升器件光电性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	莫春兰	南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心	24	177	7.0	12.0
2	江风益	南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心	60	527	12.0	19.0
3	吕全江	南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心	1	1	1.0	1.0
4	张建立	南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心	6	6	2.0	2.0
5	吴小明	南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心	6	5	1.0	2.0
6	刘军林	南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心	10	71	4.0	8.0