室温下溅射法制备高迁移率氧化锌薄膜晶体管

• 作者: 刘杰 刘玉荣 黄荷
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 薄膜晶体管 氧化锌 磁控溅射 高迁移率
• 年，卷（期）: 2017,（7）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 917-922
• 页数: 6页
• 分类号: TN321+.5|O472+.4
• 字数: 4130字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20173807.0917

摘要

为降低氧化锌薄膜晶体管(ZnO TFT)的工作电压,提高迁移率,采用磁控溅射法在氧化铟锡(ITO)导电玻璃基底上室温下依次沉积NbLaO栅介质层和ZnO半导体有源层,制备出ZnO TFT,对器件的电特性进行了表征.该ZnO TFT呈现出优异的器件性能:当栅电压为5 V、漏源电压为10 V时,器件的饱和漏电流高达2.2 mA;有效场效应饱和迁移率高达107 cm2/(V?s),是目前所报道的室温下溅射法制备ZnO TFT的最高值,亚阈值摆幅为0.28 V/decade,开关电流比大于107.利用原子力显微镜(AFM)对NbLaO和ZnO薄膜的表面形貌进行了分析,分析了器件的低频噪声特性,对器件呈现高迁移率、低亚阈值摆幅以及迟滞现象的机理进行了讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉荣	华南理工大学电子与信息学院	31	82	6.0	6.0
5	刘杰	华南理工大学电子与信息学院	15	41	4.0	5.0
6	黄荷	华南理工大学电子与信息学院	1	2	1.0	1.0