40纳米MOSFET毫米波等效电路的弱反区关键参数提取

• 作者: 王丹丹 王军 王林
• 来源期刊: 四川大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 二端口网络 40纳米MOSFET 弱反区 毫米波 参数提取
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 所属期刊栏目: 电子信息科学
• 页码范围: 523-528
• 页数: 6页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 1702字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0490-6756.2017.03.016

摘要

以双端口网络的分析方法为依托,对40纳米MOSFET的毫米波小信号等效电路的弱反区参数进行提取.该等效电路基于准静态逼近,包括完整的本征准静态MOSFET模型、串联的栅极电阻、源极电阻、漏极电阻以及衬底耦合网络.元件参数提取分为寄生参数提取和本征部分提取,是通过其等效电路的开路短路法来简化等效电路以及分析Y参数所得,提取的结果具有物理意义以及其方法能够去嵌寄生效应,如器件衬底耦合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王军	西南科技大学信息工程学院	47	152	6.0	9.0
2	王林	西南科技大学信息工程学院	23	102	6.0	9.0
3	王丹丹	西南科技大学信息工程学院	9	20	3.0	4.0