重庆万国半导体项目主体建筑顺利封顶

• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 功率半导体 主体建筑 重庆 封顶 封装测试 混凝土灌注 总投资 生产基地
• 年，卷（期）: bdtxx_2017,（6）
• 页码范围: 39-39
• 页数: 1页
• 分类号: TN303

摘要

重庆晨报讯：随着最后一方混凝土灌注完成,重庆万国半导体12英寸功率半导体芯片制造及封装测试生产基地项目顺利完成主体建筑封顶。近日,重庆万国半导体科技有限公司主体建筑的封顶仪式在两江新区水土高新园举行。该项目预计于明年上半年正式投产。万国半导体科技有限公司在渝项目位于两江新区水土高新园区,占地342余亩,总投资10亿美元。其中,一期投资约5亿美元,建筑面积93111平方米,预计达到月产2万片及封装测试月产500KK产能;二期投资约5亿美元,