Oxide TFT-LCD工艺中金属钝化层Via Hole存在SiO2残留问题研究

• 作者: 何方 姚奇 李燕龙 赵辉
• 来源期刊: 现代盐化工
• 关键词: TFT-LCD SiO2 PECVD 沟道钝化层 SiO2残留
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 35-37
• 页数: 3页
• 字数: 1648字
• 语种: 中文

摘要

文章以硅烷(SiH4)和笑气(N2O)为反应源气体,采用射频等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法沉积SiO2薄膜.文章阐述了TFT-LCD生产中由于SiO2膜质问题所造成的沟道钝化层孔内刻蚀残留,并根据产线的情况对这些问题进行了分析,对实际生产过程中出现的问题提出了相应的解决方案.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李燕龙		2	0	0.0	0.0
2	姚奇		4	0	0.0	0.0
3	赵辉		5	0	0.0	0.0
4	何方		5	1	1.0	1.0