退火温度对真空热蒸发CdTe薄膜特性的影响

• 作者: 刘绰 张雷 彭英才 马蕾
• 来源期刊: 材料热处理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 真空热蒸发 CdTe薄膜 退火处理 结构特性
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 所属期刊栏目: 表面改性
• 页码范围: 167-171
• 页数: 5页
• 分类号: TG174.44
• 字数: 3136字
• 语种: 中文

摘要

采用真空热蒸发方法,以高纯CdTe粉末为蒸发源,在石英和AZO玻璃上沉积了厚度约为485 nm的CdTe薄膜,随后在N2氛围中于250～400℃条件下进行后退火处理.利用X射线衍射仪、拉曼光谱仪、分光光度计和数字源表测量了不同退火温度条件下样品的结构、光学和电学特性.结果表明,所制备的薄膜为立方闪锌矿结构,择优取向为< 111>晶向,提高退火温度可以促进薄膜结晶;光学测量结果证实,随退火温度升高,薄膜样品的光学带隙由1.527 eV减小到1.496 eV;电流-电压测试表明,薄膜电导率随退火温度的增加,由0.97 μS/cm增大至87.3 μS/cm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马蕾	河北大学电子信息工程学院	43	157	8.0	10.0
5	彭英才	河北大学电子信息工程学院	103	593	12.0	19.0
6	张雷	河北大学电子信息工程学院	27	33	3.0	4.0
10	刘绰	河北大学电子信息工程学院	7	6	2.0	2.0