混合量子点QLED结构性能研究

• 作者: 叶继兴 李邓化 陈雯柏 马航
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 量子点发光二极管 双能量陷阱 载流子注入平衡
• 年，卷（期）: 2017,（8）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 1076-1082
• 页数: 7页
• 分类号: TN383+.1
• 字数: 3577字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20173808.1076

摘要

为研究基于混合量子点的QLED结构与性能,利用红光量子点以及绿光量子点两种材料制备了橙光QLED器件,并对其性能进行了表征.实验制备的器件结构为ITO/PEDOT∶PSS/poly-TPD/混合QDs/ZnO/Al,其中发光层采用了3种混合量子点的混合结构方案.方案一先旋涂红光量子点层,后旋涂绿光量子点层;方案二先旋涂绿光量子点层,后旋涂红光量子点层;方案三将红光、绿光量子点1∶1混合后制备为发光层.实验结果表明:方案一制备的器件电流密度最大,发光亮度最低,且只有红光谱;方案二制备的器件具有最小的电流密度,同时具有红、绿光谱,在8 V电压下,电流效率约为4.69 cd/A;方案三制备的器件同时具有红、绿光谱,电流密度与发光特性介于方案一与方案二之间.实测数据与理论分析是一致的,方案二制备的器件存在双能量陷阱,能够将注入的空穴以及电子同时限制在红光量子点层内.通过调节各功能层厚度使得载流子注入平衡,可进一步增大发光电流,提高器件效率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李邓化	北京信息科技大学自动化学院	59	259	10.0	12.0
3	陈雯柏	北京信息科技大学自动化学院	59	214	9.0	12.0
4	叶继兴	北京信息科技大学自动化学院	8	12	2.0	3.0
7	马航	北京信息科技大学自动化学院	5	5	2.0	2.0