第三代半导体产业概况剖析

• 作者: 李春 邓君楷
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 第三代半导体 碳化硅 氮化镓
• 年，卷（期）: 2017,（2）
• 所属期刊栏目: 创新应用
• 页码范围: 87-90
• 页数: 4页
• 分类号: TN305
• 字数: 4112字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2017.02.023

摘要

技术创新是推动产业发展的永恒动力.当前,在科技强国的背景下,以碳化硅、氮化镓为代表的第三代宽禁带半导体材料凭借着其优异的特性得到了世界各国的高度重视.我国政府高度重视第三代半导体材料的研究与开发,启动了一系列重大研究项目.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李春		1	26	1.0	1.0
2	邓君楷		1	26	1.0	1.0