铜基底上双层至多层石墨烯常压化学气相沉积法制备与机理探讨

• 作者: 付志兵 张继成 易勇 李浩 王红斌 黄维
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 石墨烯 常压化学气相沉积 双层至多层 生长机理
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 336-342
• 页数: 7页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.66.058101

摘要

化学气相沉积是目前最重要的一种制备高质量、大面积石墨烯的方法.而铜是化学气相沉积法制备石墨烯中最常用的生长基底.虽然有大量文章报道了关于石墨烯的生长条件及生长机理,但是作为最广泛采用的材料,铜基底上双层及多层石墨烯的生长机理仍然在探索中.本文采用常压化学气相沉积法,以乙醇为碳源在铜基底上生长石墨烯,并将其转移到SiO2/Si基底上.用场发射扫描电镜、透射电镜、拉曼光谱、光学显微镜对所制备的石墨烯进行表征和层数分析,对转移到不同基底上的不同层数的石墨烯进行了透光性分析.结果表明,常压条件下铜箔表面能够生长出质量较高、连续性较好的双层至多层石墨烯.此外,我们还对铜基底上双层至多层石墨烯的生长机理进行了探讨.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王红斌	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	19	33	3.0	5.0
2	付志兵	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	53	352	10.0	15.0
3	易勇	西南科技大学无机非金属材料国家重点实验室	53	162	6.0	9.0
4	张继成	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	29	254	9.0	15.0
5	李浩	西南科技大学无机非金属材料国家重点实验室	6	23	3.0	4.0
9	黄维	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	5	22	3.0	4.0