ZrB2粒径对Si3N4-ZrB2陶瓷相组成、显微结构及电阻率的影响

• 作者: 伍尚华 吴利翔 李景曦 郭伟明
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Si3 N4陶瓷 ZrB2粒径 热压 显微结构 电阻率
• 年，卷（期）: 2017,（2）
• 页码范围: 352-355
• 页数: 4页
• 分类号: TQ174.75
• 字数: 2708字
• 语种: 中文

摘要

以20vol％ ZrB2粗粉和细粉为导电相,以3vol％ MgO-2vol％ YB2O3烧结助剂,通过热压烧结在1500℃制备了Si13N4-ZrB2复相陶瓷,研究了ZrB2粒径对致密度、相组成、显微结构以及电阻率的影响.结果表明,不依赖于Zrl2粒径,通过引入MgO-YB2O3烧结助剂,均可以获得高致密Si3N4-ZrB2陶瓷.以Zrl2粗粉为原料时,Si3N4-ZrB2陶瓷包含主要的αt-Si3N4 、β-Si3N4和ZrB2相以及微弱的Yb4 Si2N2O7相,由于ZrB2晶粒保持孤立状态,样品电阻率较高,为9.5×103 Ω·m;而以ZrB2细粉为原料时,其与Si3N4发生轻微的高温反应,除了包含主要的d-Si3N4、β-Si3N4和ZrB2相及微弱的Yb4Si2N2O7相之外,Si3 N4-ZrB2陶瓷还含有新生成的微弱ZrSi2和ZrN导电相,由于ZrB2晶粒保持连通状态,样品电阻率显著降低,仅有6.8 Ω·m.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	伍尚华	广东工业大学机电工程学院	54	279	10.0	15.0
2	郭伟明	广东工业大学机电工程学院	30	71	5.0	6.0
3	李景曦	广东工业大学机电工程学院	2	5	1.0	2.0
4	吴利翔	广东工业大学机电工程学院	10	19	3.0	4.0