掺硼纳米硅颗粒的脉冲放电制备及测试分析

• 作者: 张伟 汪炜
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: 掺硼 纳米硅颗粒 脉冲放电 纳米硅浆料 方阻
• 年，卷（期）: 2017,（11）
• 页码范围: 2947-2952
• 页数: 6页
• 分类号: TH145
• 字数: 2362字
• 语种: 中文

摘要

以掺硼硅锭(电阻率0.01 Ω·cm)作为原材料,在液体介质中采用脉冲放电法制备出掺硼纳米硅颗粒.利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、纳米粒径电位分析(PSDA)、原子发射光谱(ICP-OES)等测试手段对获得的产物进行测试分析,绝大部分纳米硅颗粒尺寸集中在30～60 nm,其硼含量的质量分数为19×10-4％.在此基础上,将制备纳米硅颗粒配制为质量分数为15％的纳米硅浆料,通过丝网印刷在太阳硅片上,经850℃高温烧结后,硅片表面方阻可由100Ω/□降到30 Ω/□.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	汪炜	南京航空航天大学机电学院	96	639	12.0	20.0
2	张伟	常州大学机械工程学院	14	9	2.0	2.0