Pd颗粒表面修饰ZnO纳米线阵列的制备及其气敏特性

• 作者: 刘新科 吕有明 曹培江 曾玉祥 朱德亮 杨志博 柳文军 许望颖 贾芳 韩舜
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 气敏特性 ZnO纳米线 Pd颗粒 表面修饰
• 年，卷（期）: 2017,（8）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 1033-1038
• 页数: 6页
• 分类号: O484.4|TP212.2
• 字数: 2308字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20173808.1033

摘要

采用化学气相沉积(CVD)方法在SiO2/Si衬底生长了ZnO纳米线阵列,纳米线长约为15 μm,直径为100~500 nm.通过改变溅射沉积时间(0~150 s),在ZnO纳米线表面包覆了不同厚度的Pd薄膜.在Ar气氛中,经800 ℃高温退火后,制备出Pd颗粒表面修饰的ZnO纳米线阵列并对其进行了气敏测试.对于乙醇而言,所有传感器最佳工作温度均为280 ℃.溅射时间的增加(3~10 s)导致ZnO纳米线表面Pd纳米颗粒数量及尺寸增加,传感器响应值由2.0增至3.6.过长的溅射时间 (30~150 s)将导致Pd颗粒尺寸急剧增大甚至形成连续膜,传感器响应度显著降低.所有传感器对H2均表现出相对较好的选择性,传感器具有较好的响应-恢复特性和稳定性.最后,探讨了Pd颗粒表面修饰对ZnO纳米线阵列气敏传感器气敏特性的影响机制.