Mg-Sn合金的阻尼机理研究

• 作者: 刘红梅 王峰阳 陈宇 高天学
• 来源期刊: 金属热处理
• 学科: 工学
• 关键词: Mg-Sn合金 固溶和时效 层片状共晶组织 相界阻尼
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 18-21
• 页数: 4页
• 分类号: TG146.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13251/j.issn.0254-6051.2017.04.004

摘要

研究了不同的Sn含量(1%~10%,质量分数)的Mg-Sn合金在不同状态下(铸态(F)、固溶态(T4)、固溶+时效态(T6))的阻尼性能.结果表明随着Sn含量的增加,Mg-Sn合金阻尼性能中与应变相关的阻尼值(阻尼因子Q-1)会相应的增加.Mg-Sn合金阻尼机理为位错阻尼和相界阻尼的共同作用,相界阻尼来自于合金中层片状共晶组织(Mg2Sn与α-Mg)相界面摩擦阻尼.高应变振幅下,含1%~5%Sn的Q-1因子变化规律为:T4>F>T6,位错机制占主导地位;含7%~10%Sn的阻尼因子Q-1变化规律为:F>T4>T6,相界面摩擦阻尼占主导地位.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈宇	西南交通大学材料科学与工程学院	47	542	12.0	23.0
2	刘红梅	西南交通大学材料科学与工程学院	3	14	2.0	3.0
3	王峰阳	西南交通大学材料科学与工程学院	2	14	2.0	2.0
4	高天学	西南交通大学材料科学与工程学院	2	14	2.0	2.0