中红外透明导电ITO薄膜的制备

• 作者: 吕博凡 武永梅
• 来源期刊: 物联网技术
• 关键词: 射频磁控溅射 ITO薄膜 霍尔迁移率 光学性能
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 所属期刊栏目: 可靠传输
• 页码范围: 48-51
• 页数: 4页
• 分类号: O484.4|TP393
• 语种: 中文
• DOI: 10.16667/j.issn.2095-1302.2017.01.013

摘要

针对红外光学系统的电磁屏蔽问题,利用射频磁控溅射法在蓝宝石基底上制备了在中红外波段具有高透过率的氧化铟锡(In2O3:Sn,ITO)导电薄膜,主要研究了溅射功率、沉积温度和氧气流量等沉积参数对薄膜载流子迁移率和载流子浓度的影响,并对参数进行了优化,获得了最大的迁移率,在不影响薄膜电学性能的基础上提高了薄膜的中红外光学透过率.所制得的薄膜霍尔迁移率为20 cm2V-1s-1,载流子浓度为4.99×1020 cm-3,方块电阻为61.2/sq,在3.05.0m波段的平均透过率为60.81%.结果表明,ITO薄膜可以替代金属网栅,实现对红外光学系统的电磁屏蔽.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕博凡	北航实验学校中学部	1	1	1.0	1.0
2	武永梅	北京航空航天大学航空科学与工程学院	1	1	1.0	1.0