铁电存储器激光微束单粒子效应试验研究

• 作者: 丁李利 刘玉辉 张凤祁 潘霄宇 罗尹虹 赵雯 郭红霞 魏佳男
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 铁电存储器 单粒子效应 激光微束 工作频率
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 902-908
• 页数: 7页
• 分类号: TN406
• 语种: 中文
• DOI: 10.7538/yzk.2016.youxian.0428

摘要

利用脉冲激光微束单粒子效应(SEE)模拟装置,研究了铁电存储器(FRAM)工作频率对其单粒子翻转(SEU)的影响.研究结果表明,随工作频率的降低,被测器件SEU截面显著增大,且翻转是由外围电路引发的.被测芯片1→0翻转截面明显大于0→1翻转截面.对FRAM工作时序及不同芯片使能信号(CE)占空比下SEU截面的分析表明,频率降低导致的CE有效时间延长与SEU截面的增大有直接关系.本文同时开展了FRAM不同功能模块的单粒子锁定(SEL)敏感性试验,获得了相应的SEL阈值能量和饱和截面,并研究了静态和动态工作模式下由SEL引发的数据翻转情况,发现动态模式下被测器件更易受SEL影响而发生翻转.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗尹虹		54	199	8.0	10.0
2	张凤祁		40	169	8.0	10.0
3	郭红霞	湘潭大学材料科学与工程学院	81	385	10.0	13.0
5	丁李利		12	26	3.0	4.0
6	赵雯		10	25	3.0	4.0
9	潘霄宇		2	3	1.0	1.0
10	魏佳男	湘潭大学材料科学与工程学院	1	3	1.0	1.0