一种结构简单的新型CMOS欠压保护电路

• 作者: 冯全源 王慧丽
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 欠压保护 独立 工艺易实现 迟滞
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 所属期刊栏目: 电子电路设计分析及应用
• 页码范围: 593-596
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 字数: 2425字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2017.03.015

摘要

分析了两种传统欠压保护电路的工作原理及优缺点,在此基础上提出一种新颖的欠压保护电路.电路采用电流比较的方式,不依赖比较器、基准电源等辅助结构,结构简单,具有良好的独立性和稳定性;此外,有源器件中仅使用了MOS管,工艺实现容易,更便于集成.仿真结果表明,当电源电压在2.5 V~3.0 V之间变化时,电路欠压保护功能正常,并具有90 mV的迟滞,可有效防止电源电压波动引起的误触发.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯全源	西南交通大学信息科学与技术学院微电子研究所	261	1853	19.0	26.0
2	王慧丽	西南交通大学信息科学与技术学院微电子研究所	3	8	2.0	2.0