Eu掺杂SiCxOy薄膜的Eu3+发光机制

• 作者: 宋捷 宋超 张文星 李洪亮 林圳旭 王岩 王怀佩 郭艳青 黄锐
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 光致发光 铕掺杂 碳氧化硅 能量转移
• 年，卷（期）: 2017,（8）
• 所属期刊栏目: 材料合成及性能
• 页码范围: 1010-1014
• 页数: 5页
• 分类号: O469|O482.31
• 字数: 2446字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20173808.1010

摘要

利用磁控溅射技术在低温250 ℃下制备Eu掺杂SiCxOy薄膜,研究薄膜的Eu3+发光激发机制.实验结果表明,薄膜的发光谱由来自基体材料的蓝光和来自Eu3+的红光组成;随着薄膜中Eu含量由0.19%增加到2.27%,其红光强度增加3倍左右,而蓝光逐渐减弱.Raman光谱及荧光瞬态谱分析表明,其蓝光由中立氧空位缺陷发光中心引起.结合薄膜的Eu3+激发光谱分析,SiCxOy∶Eu薄膜的红光增强源于薄膜中Eu3+离子浓度的增加和/或基体材料的中立氧空位缺陷发光中心与Eu3+离子的能量转移.