雾化抛光氮化硅陶瓷基体的工艺参数优化

• 作者: 朱强 李庆忠 高渊魁
• 来源期刊: 润滑与密封
• 学科: 工学
• 关键词: 正交试验 工艺参数 雾化抛光 氮化硅陶瓷 表面粗糙度
• 年，卷（期）: 2017,（11）
• 所属期刊栏目: 开发应用
• 页码范围: 95-99
• 页数: 5页
• 分类号: TG356.28
• 字数: 2749字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0254-0150.2017.11.018

摘要

通过正交试验对氮化硅陶瓷基体进行超声精细雾化抛光,研究抛光工艺参数(抛光液流量、抛光压力、抛光盘转速)对抛光速率和表面粗糙度的影响.以抛光后氮化硅陶瓷的材料去除率和表面粗糙度为评价指标,根据正交试验结果得到最优参数组合,并与传统的抛光效果进行试验对比.结果表明:研究的3种参数中,对材料去除率的影响程度由高到低依次为雾液流量、抛光压力、抛光盘转速,对抛光后工件表面粗糙度的影响程度由高到低依次为抛光盘转速、雾液流量、抛光压力;在相同的实验条件下,精细雾化抛光的材料去除率与表面粗糙度与传统抛光接近,但精细雾化抛光的抛光液用量仅为传统用量的12.5％,有效减少了资源的浪费.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李庆忠	江南大学机械工程学院	47	113	5.0	6.0
2	朱强	江南大学机械工程学院	4	5	1.0	2.0
3	高渊魁	江南大学机械工程学院	3	4	1.0	2.0