导模法生长高质量氧化镓单晶的研究

• 作者: 尹延如 张健 穆文祥 贾志泰 陶绪堂
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氧化镓单晶 导模法 禁带宽度
• 年，卷（期）: 2017,（2）
• 页码范围: 193-196
• 页数: 4页
• 分类号: O734
• 字数: 2047字
• 语种: 中文

摘要

使用导模法生长了宽度25 mm,长度100 mm的氧化镓(β-Ga2O3)单晶.晶体外观完整、无色、无开裂,粉末XRD测试证明所获得的晶体为β相,晶体摇摆曲线半峰宽为93.6",峰形对称,说明晶体质量良好.测试了未掺杂晶体的紫外透过光谱,并推算了晶体的禁带宽度为4.77 eV.此外,还重点讨论了晶体放肩时的工艺参数对晶体质量的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陶绪堂	山东大学晶体材料国家重点实验室	37	194	7.0	12.0
2	张健	山东大学晶体材料国家重点实验室	111	517	13.0	17.0
3	贾志泰	山东大学晶体材料国家重点实验室	7	22	3.0	4.0
7	穆文祥	山东大学晶体材料国家重点实验室	2	3	1.0	1.0
8	尹延如	山东大学晶体材料国家重点实验室	1	3	1.0	1.0