一种中电压大功率IGBT模块行为模型

• 作者: 孙驰 胡亮灯 艾胜 陈玉林
• 来源期刊: 电工技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 中电压大功率 绝缘栅双极性晶体管 行为模型 动态特性
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 电力电子
• 页码范围: 25-34
• 页数: 10页
• 分类号: TM564
• 字数: 6477字
• 语种: 中文

摘要

目前已有场终止型绝缘栅双极性晶体管(IGBT)行为模型以及仿真软件中的IGBT模型未专门针对中电压大功率IGBT模块搭建,不能准确模拟其区别于中小功率IGBT的行为特性.在已有行为模型基础上,提出引入IGBT基区存储电荷造成的等效电容及模块封装键合丝带来的寄生电感,考虑反并联PIN二极管行为模型,从而有针对性地实现了完整中电压大功率IGBT模块行为模型.同时提出了新的米勒电容函数拟合方法,量化分析行为模型完整开关过程中典型行为与模型参数的关系,通过较简便的方法实现了模型参数的提取.最后在Pspice环境下实现了一种3.3kV/1.5kA等级IGBT行为模型,并通过在Buck电路下仿真与实验波形对比证明了该行为模型的可行性和有效性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙驰	海军工程大学舰船综合电力技术国防科技重点实验室	27	497	11.0	22.0
2	艾胜	海军工程大学舰船综合电力技术国防科技重点实验室	19	150	7.0	11.0
3	胡亮灯	海军工程大学舰船综合电力技术国防科技重点实验室	17	118	6.0	10.0
4	陈玉林	海军工程大学舰船综合电力技术国防科技重点实验室	9	22	3.0	4.0