合成硫化铜影响因素的研究进展

• 作者: 吴文卫 张筱鹏
• 来源期刊: 硅酸盐通报
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米结构半导体 硫化铜 影响因素
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 所属期刊栏目: 综合评述
• 页码范围: 116-120,133
• 页数: 6页
• 分类号: TB383.1
• 字数: 4393字
• 语种: 中文

摘要

由于纳米结构半导体硫化铜具有独特的物化性质，使其在光电材料方面得到广泛应用。本文根据国内外的最新研究进展介绍了水热法和溶剂热法制备硫化铜各种形貌的影响因素：反应物质、溶剂、反应温度、反应时间。同时介绍了不同形貌的带隙能及降解有机污染物的研究情况。还介绍了其复合材料在光降解有机物的研究进展。最后对硫化铜纳米晶体材料的能带值的可能影响因素及应用前景做了展望，以期对该领域的研究有一定的帮助。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张筱鹏		10	57	2.0	7.0
2	吴文卫		25	219	9.0	14.0