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A low power V-band LC VCO with high Q varactor technique in 40 nm CMOS process
A low power V-band LC VCO with high Q varactor technique in 40 nm CMOS process
作者:
Guangtao FENG[3]
Lu JIE[1]
Qian ZHOU[1]
Ray C.C.CHEUNG[2]
Shifeng ZHANG[1]
Xiaoxia HAN[1]
Yan HAN[1]
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
CMOS工艺
低功率
VCO
LC
波段
高Q
纳米
技术
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篇名
A low power V-band LC VCO with high Q varactor technique in 40 nm CMOS process
来源期刊
中国科学
学科
工学
关键词
CMOS工艺
低功率
VCO
LC
波段
高Q
纳米
技术
年,卷(期)
2017,(8)
所属期刊栏目
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248-250
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3页
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TN929.11
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CMOS工艺
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VCO
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中国科学
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CN 11-1789/N
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3119
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