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采用65 nm工艺实现宽频带低相位噪声的LC-VCO
压控振荡器
宽频带
开关电容阵列
闪烁噪声
堆积式MOM电容
1.3~2.2 GHz低噪声低功耗 CMOS LC VCO的设计
宽带
低相位噪声
低功耗
压控振荡器
锁相环
频率综合器
26GHz宽带低噪声CMOS LC-VCO设计
LC压控振荡器
谐振频率
相位噪声
LC VCO相位噪声解析模型的分析
压控振荡器
相位噪声
Hajimiri模型
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 A low power V-band LC VCO with high Q varactor technique in 40 nm CMOS process
来源期刊 中国科学 学科 工学
关键词 CMOS工艺 低功率 VCO LC 波段 高Q 纳米 技术
年,卷(期) 2017,(8) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 248-250
页数 3页 分类号 TN929.11
字数 语种 中文
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研究主题发展历程
节点文献
CMOS工艺
低功率
VCO
LC
波段
高Q
纳米
技术
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
中国科学
月刊
CN 11-1789/N
出版文献量(篇)
3119
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