非磁性半导体磁阻效应物理模型研究

• 作者: 何雄 孙志刚
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 非磁性半导体 磁阻效应 物理模型 雪崩电离 巨磁阻
• 年，卷（期）: 2017,（17）
• 所属期刊栏目: 材料综述
• 页码范围: 6-11
• 页数: 6页
• 分类号: O472|TB39
• 字数: 3855字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11896/j.issn.1005-023X.2017.017.002

摘要

非磁性半导体的磁阻效应一直以来受到了科研工作者的广泛关注,具有重大的研究意义和价值,在磁性传感器、高密度存储等方面有着潜在应用前景.主要综述了几种典型的非磁性半导体磁阻效应物理模型,即空间电荷效应模型、纳米非均匀性模型、二极管辅助几何增强模型、载流子复合模型和雪崩电离模型.最后,对非磁性半导体的雪崩电离基磁阻效应进行了分析和展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙志刚	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	18	87	4.0	9.0
2	何雄	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	9	3	1.0	1.0