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摘要:
本论文提出一种通过基准电压来减小延时的IO设计方法,设计出具高速特性的IO模块,从而满足高速SRAM产品的使用需求.该模块主要的设计思路为:通过基准电压提供一个中间态电压,通过中间态电压快速响应,减小IO的延时.通过HSPICE仿真表明,这款电路能满足200Mhz SR.AM需求,并通过流片,验证此结构是可行的.
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内容分析
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文献信息
篇名 一种基于基准电压的高速IO
来源期刊 电脑与电信 学科 工学
关键词 IO 高速 翻转速度
年,卷(期) 2017,(6) 所属期刊栏目 集成电路设计
研究方向 页码范围 45-47
页数 3页 分类号 TN432
字数 999字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 孙长江 3 7 1.0 2.0
2 许迪 2 0 0.0 0.0
3 罗尧宇 3 1 1.0 1.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
IO
高速
翻转速度
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电脑与电信
月刊
1008-6609
44-1606/TN
大16开
广州市连新路171号国际科技中心B108室
1995
chi
出版文献量(篇)
8962
总下载数(次)
13
总被引数(次)
9565
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