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摘要:
随着微电子技术的不断发展,存储器呈现出高集成度、快速、低功耗的发展趋势.静态随机读写存储器(SRAM)作为存储器大家庭中的一员,近年来得到了长足的发展.它作为半导体存储器不可缺少的一类产品,在计算机、通信等高速数据交换系统中得到了广泛的应用.但是随着存储器的容量不断变大,IO翻转速度变快,对电源系统提出了更高的要求.本文从SRAM应用系统出发,详细介绍了SRAM芯片内电源系统面临的问题,并提出了一种基于系统级的SRAM电源评估仿真方法.
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WinCC
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文献信息
篇名 一种基于系统级的SRAM电源评估方法
来源期刊 电脑与电信 学科 工学
关键词 SRAM 电源系统 评估方法
年,卷(期) 2017,(6) 所属期刊栏目 集成电路设计
研究方向 页码范围 39-41
页数 3页 分类号 TP333
字数 1330字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘建新 2 3 1.0 1.0
2 黄典尉 3 3 1.0 1.0
3 梁思文 2 0 0.0 0.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
SRAM
电源系统
评估方法
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电脑与电信
月刊
1008-6609
44-1606/TN
大16开
广州市连新路171号国际科技中心B108室
1995
chi
出版文献量(篇)
8962
总下载数(次)
13
总被引数(次)
9565
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