基于QD-SOA-XPM全光逻辑或门的研究

• 作者: 杨文华 王兆翔 王海龙 韦志禄
• 来源期刊: 通信技术
• 学科: 工学
• 关键词: 量子点半导体光放大器 马赫-曾德尔干涉仪 全光逻辑或门 Q因子 消光比
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 信息处理与传输
• 页码范围: 630-635
• 页数: 6页
• 分类号: TN929.1
• 字数: 2392字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-0802.2017.04.009

摘要

基于量子点半导体光放大器的交叉相位调制效应(QD-SOA-XPM),利用马赫-曾德尔干涉仪(MZI)模拟,实现了全光逻辑或门功能.选取Q因子和消光比作为衡量逻辑门器件性能的参数,仿真分析了注入电流、τW2、泵浦光功率、脉冲宽度、最大模式增益及有源区长度对Q因子和消光比的影响.仿真结果表明,当增大注入电流、减小τW2与最大模式增益时,都可以提高Q因子;当增大泵浦光功率、脉冲宽度和有源区长度时,Q因子和消光比的变化趋势相反.因此,在选取输入泵浦光功率、脉冲宽度与有源区长度时,要兼顾Q因子和消光比.