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太赫兹CMOS场效应管模型及实验分析
太赫兹CMOS场效应管模型及实验分析
作者:
孔令琴
张镜水
董立泉
赵跃进
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
太赫兹CMOS场效应管
场效应管探测器
场效应管模型
散射效应
摘要:
针对商业CMOS(互补金属氧化物半导体)场效应管模型在高频下易失效的问题,运用ADS软件构建了基于经典动力学理论的非线性RCL传输线模型,并结合实测数据说明了本文模型的精准性及太赫兹波段场效应管的工作原理.构建了基于经典动力学理论的非线性RCL传输线模型仿真系统,并将其与商业模型仿真结果进行对比,分析了在太赫兹波段本文模型与商业模型的区别.测试了现有场效应管探测器的频率响应,并对实测数据与两种模型仿真数据进行对比,说明本文模型提高了预测精度.最后,结合3σ原则分析了场效应管沟道尺寸对载流子散射效应的影响,以及场效应管进入弹道工作模式的条件.实验结果表明:本文模型与商业模型的区别主要在于模型中是否存在电感部分,该部分可作为场效应管沟道中载流子动量是否守恒及散射效应是否可以忽略的表征参数.相较于商业模型,本文模型对探测器最佳频率工作点的预测精准度可提高0.3%,对探测器带宽的预测精准度可提高约10%.该项研究为CMOS场效应管模型的精确建立及仿真分析提供了良好基础.
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文献信息
篇名
太赫兹CMOS场效应管模型及实验分析
来源期刊
光学精密工程
学科
工学
关键词
太赫兹CMOS场效应管
场效应管探测器
场效应管模型
散射效应
年,卷(期)
2017,(12)
所属期刊栏目
现代应用光学
研究方向
页码范围
3128-3136
页数
9页
分类号
TN386
字数
4288字
语种
中文
DOI
10.3788/OPE.20172512.3128
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
赵跃进
北京理工大学光电学院
73
640
13.0
21.0
2
孔令琴
北京理工大学光电学院
11
36
3.0
6.0
3
董立泉
北京理工大学光电学院
25
95
6.0
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4
张镜水
北京理工大学光电学院
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场效应管探测器
场效应管模型
散射效应
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
光学精密工程
主办单位:
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
中国仪器仪表学会
出版周期:
月刊
ISSN:
1004-924X
CN:
22-1198/TH
开本:
大16开
出版地:
长春市东南湖大路3888号
邮发代号:
12-166
创刊时间:
1959
语种:
chi
出版文献量(篇)
6867
总下载数(次)
10
总被引数(次)
98767
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