单晶硅快速磷扩散研究

• 作者: 孔凡迪 王从杰 白一鸣 贺凯 陈吉堃 陈诺夫 陶泉丽 魏立帅
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体材料 p-n结 快速热处理 磷扩散 扩散系数
• 年，卷（期）: 2017,（2）
• 所属期刊栏目: 研究·开发
• 页码范围: 2091-2095
• 页数: 5页
• 分类号: O475|TM914.4+1
• 字数: 3436字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2017.02.016

摘要

采用传统方法向晶体硅中扩磷不仅耗时长,而且能耗多.使用快速热处理(RTP)方法可以在数十秒时间内达到磷扩散深度和浓度的要求,具有广阔前景.使用磷纸作为扩散源,结合快速热处理法对p型单晶硅片进行磷扩散,用磨角染色法探究扩散结深,获得了最为理想的p-n结扩散温度及时间.通过计算快速热处理条件下磷在硅中的扩散系数以及扩散激活能,分析了与传统扩散方法不同的原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王从杰	华北电力大学可再生能源学院	5	7	2.0	2.0
2	陈诺夫	华北电力大学可再生能源学院	22	33	3.0	4.0
3	魏立帅	华北电力大学可再生能源学院	5	7	2.0	2.0
4	陶泉丽	华北电力大学可再生能源学院	10	13	2.0	3.0
5	贺凯	华北电力大学可再生能源学院	4	7	2.0	2.0
6	白一鸣	华北电力大学可再生能源学院	20	35	3.0	4.0
7	陈吉堃	北京科技大学材料科学与工程学院	11	16	2.0	3.0
8	孔凡迪	华北电力大学可再生能源学院	2	7	2.0	2.0