铜蒸发温度对共蒸发法制备Cu2ZnSnSe4太阳电池的影响

• 作者: 姚小春 孙顶 张力 李玉丽 贾雪 迟耀丹
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 太阳电池 铜锌锡硒 共蒸发 铜
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 页码范围: 486-489
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 1775字
• 语种: 中文

摘要

由于Cu元素的含量对Cu2ZnSnSe4(CZTSe)化合物的薄膜性质及电池性能都有影响,本文主要研究了不同铜蒸发温度对CZTSe薄膜性质及电池性能的影响.研究表明:当铜蒸发温度较低时(1400 ℃),CZTSe薄膜中含有SnSe相,同时薄膜呈N型;随着铜蒸发温度的提高,CZTSe薄膜的结晶质量明显提升.但当铜蒸发温度过高时(1500 ℃),薄膜中含有CuxSey相.二次相SnSe与CuxSey的存在都会使电池失效.最终通过优化铜的蒸发温度,在较合适的1450 ℃ 铜蒸发温度条件下制备出效率为2.63%(有效面积0.34 cm2)的CZTSe太阳电池.