三相四线制四桥臂型SiC MOSFET换流器研究

• 作者: 李向奎 樊相臣 秦广涛 黄光政
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 换流器 碳化硅 金属-氧化物半导体场效应晶体管
• 年，卷（期）: 2017,（9）
• 所属期刊栏目: 宽禁带半导体器件在电力电子技术中的应用专辑
• 页码范围: 42-44
• 页数: 3页
• 分类号: TM46
• 语种: 中文

摘要

三相四线制换流器能实现低压配电网三相不平衡等综合电能质量调节,在此结合碳化硅(SiC)金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)对四桥臂型两电平换流器展开深入研究.根据正弦脉宽调制(SPWM)下开关频率及电流波纹的大小来优化设计高频LC滤波器,通过效率分析和热等效电路来选取散热器.通过搭建并测试125 kVA三相四线制SiC MOSFET换流器实验装置来验证不同负载条件下设计合理性和SiC-MOSFET优越性.