多管并联SiC MOSFET驱动电路串扰抑制方法

• 作者: 刘永飞 安国亮 李亚斌 柴艳鹏
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 晶体管 多管并联 驱动电路 串扰抑制
• 年，卷（期）: 2017,（9）
• 所属期刊栏目: 宽禁带半导体器件在电力电子技术中的应用专辑
• 页码范围: 57-59
• 页数: 3页
• 分类号: TN32
• 语种: 中文

摘要

为解决大功率高频串联谐振逆变器中多管并联碳化硅(SiC)金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)驱动电路存在的串扰问题,分析了驱动电路串扰问题产生的机理和常用驱动串扰抑制方法,优化了驱动电路结构和器件参数,设计了一种具有串扰抑制作用的多管并联SiC MOSFET驱动电路.搭建了一台SiC MOSFET高频H桥串联谐振逆变电源样机,对驱动电路进行了相关测试,验证了所设计的驱动电路可有效抑制串扰.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李亚斌		64	580	13.0	21.0
2	柴艳鹏		2	0	0.0	0.0
3	刘永飞		1	0	0.0	0.0
4	安国亮		1	0	0.0	0.0