SiC MOSFET磁集成开关电感软开关逆变器研究

• 作者: 方晓敏 黄云龙
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 逆变器 半导体器件 磁集成开关电感 寄生电容
• 年，卷（期）: 2017,（9）
• 所属期刊栏目: 宽禁带半导体器件在电力电子技术中的应用专辑
• 页码范围: 60-63
• 页数: 4页
• 分类号: TM464
• 语种: 中文

摘要

采用宽禁带半导体器件和软开关技术可显著改善逆变器效率和功率密度.提出采用碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的新型磁集成软开关逆变拓扑.重点研究SiC MOSFET零电压开关(ZVS)关断损耗,通过深入探讨SiC MOSFET寄生电容对ZVS实现的影响及等效寄生电容的提取方法,并构建开关电感磁集成动态损耗模型,优化SiC MOSFET ZVS的条件,修正器件电压、电流应力公式,获得了更高效的电路设计参数.最后通过一台20 kW SiC MOSFET磁集成开关电感软开关逆变器实验样机证明了理论分析的正确性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄云龙		31	128	4.0	10.0
2	方晓敏		18	11	2.0	2.0