ZnGeAs2多晶合成与表征

• 作者: 何知宇 冯波 朱世富 杨登辉 赵北君 钟义凯 陈宝军 黄巍
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 红外非线性光学晶体 砷锗锌 多晶合成 双温区合成方法
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 页码范围: 393-397
• 页数: 5页
• 分类号: O782
• 字数: 2265字
• 语种: 中文

摘要

ZnGeAs2是黄铜矿结构的三元化合物半导体材料,在红外非线性光学方面有重要应用前景.本文探讨了ZnGeAs2多晶的形成途径和合成机理,报道了一种ZnGeAs2多晶合成方法.以高纯(6N)Zn、Ge、As单质为原料,按化学计量比,富Zn1‰和As2‰配料,采用双温区合成方法,辅以机械、温度振荡和梯度降温的合成工艺,合成出均匀致密的单相ZnGeAs2多晶.经XRD和EDS分析表明:合成产物为黄铜矿结构的单相ZnGeAs2多晶,晶胞常数为a=b=0.56745 nm,c=1.11580 nm,与标准PDF卡片(No.730397)一致;各组成元素的原子比Zn∶Ge∶AS=1.00∶0.98∶1.95,接近理想化学计量比.上述分析结果表明,合成产物可用于ZnGeAs2单晶生长,为进一步研究ZnGeAs2晶体的非线性光学性能和应用奠定了较好的基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱世富	四川大学材料科学与工程学院	151	840	14.0	20.0
2	赵北君	四川大学材料科学与工程学院	132	744	14.0	19.0
3	陈宝军	四川大学材料科学与工程学院	56	160	7.0	9.0
4	何知宇	四川大学材料科学与工程学院	69	221	8.0	11.0
5	冯波	四川大学材料科学与工程学院	26	89	6.0	8.0
6	杨登辉	四川大学材料科学与工程学院	9	14	3.0	3.0
7	钟义凯	四川大学材料科学与工程学院	3	0	0.0	0.0
8	黄巍	四川大学材料科学与工程学院	20	80	4.0	8.0