原位制备P(VDF-HFP)/SiO2复合聚合物电解质及其性能研究

• 作者: 王脂胭 缪畅 肖围 颜学敏
• 来源期刊: 电源技术
• 学科: 工学
• 关键词: 原位 聚合物电解质 SiO2 P(VDF-HFP)
• 年，卷（期）: 2017,（2）
• 所属期刊栏目: 研究与设计
• 页码范围: 189-191,281
• 页数: 4页
• 分类号: TM912.9
• 字数: 3551字
• 语种: 中文

摘要

通过倒相法原位制备P(VDF-HFP)/SiO2复合聚合物电解质膜,将其于1.0 mol/L LiPF6/(EC+DMC+EMC)中浸泡30 min即得复合聚合物电解质.采用扫描电子显微镜法(SEM)、X射线衍射光谱法(XRD)、线性扫描法(LSV)和交流阻抗法(ElS)分别对复合电解质的形貌、结晶度和电化学性能进行表征.SEM结果表明SiO2溶胶原位制备的P(VDF-HFP)/SiO2复合膜的膜层表面微孔丰富且相互连通,XRD表明其结晶度较纯P(VDF-HFP)膜减小;LSV和EIS结果表明复合膜的电化学稳定窗口为5.0V,室温离子电导率高达3.134×10-3 S/cm,且其界面阻抗较直接添加SiO2粉末制备的复合膜的920Ω下降至850Ω.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	颜学敏	长江大学化学与环境工程学院	27	119	7.0	10.0
2	缪畅	长江大学化学与环境工程学院	12	11	3.0	3.0
3	肖围	长江大学化学与环境工程学院	16	10	2.0	2.0
4	王脂胭	长江大学化学与环境工程学院	3	1	1.0	1.0