CMOS传感器紫外敏化膜层的厚度优化及其光电性能测试

• 作者: 刘琼 卢忠荣 钱晓晨 阮俊 陶春先 马守宝
• 来源期刊: 光子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 传感器技术 薄膜技术 紫外敏化 互补金属氧化物半导体传感器 荧光材料 量子效率 动态范围
• 年，卷（期）: 2017,（6）
• 所属期刊栏目: 探测器
• 页码范围: 225-230
• 页数: 6页
• 分类号: TN206|TN209
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/gzxb20174606.0604002

摘要

采用真空热阻蒸方式在CMOS图像传感器感光面上镀制不同厚度性比价高的Lumogen薄膜.研究发现不同Lumogen薄膜厚度的CMOS传感器的暗电流噪声未发生明显变化,说明真空热蒸发方式对互补金属氧化物半导体器件本身未造成热损伤;光响应非均匀度随膜厚增加而增大;动态范围却随膜厚增加而减小;量子效率随膜厚增加呈现先增大后减小.同时,研究发现敏化膜层最佳厚度为389 nm,此时CMOS传感器的量子效率提高了10%,且光响应非均匀度,动态范围均在相对较好的范围内.