Zn掺杂CdO薄膜的溅射法制备和光电性能研究

• 作者: 刘少煜 祝巍
• 来源期刊: 表面技术
• 学科: 工学
• 关键词: CdO ZnO 薄膜 磁控射频溅射 霍尔效应 吸收边
• 年，卷（期）: 2017,（10）
• 所属期刊栏目: 专题—2016 年度国家自然科学基金研究进展
• 页码范围: 72-75
• 页数: 4页
• 分类号: TG174.442
• 字数: 2448字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2017.10.010

摘要

目的 通过向CdO薄膜中掺杂ZnO,在尽量不影响其电学性质的前提下,拓宽禁带宽度并改善性能.方法 通过磁控射频溅射分别在玻璃基底和硅<111>基底上沉积了一系列Cd1-xZnxO透明导电薄膜.利用XRD、紫外可见分光光度计和霍尔效应测量仪,测试了薄膜的结构、光学和电学性能.结果 随着Zn掺杂含量的增加,薄膜结构会发生变化:x<0.25时,薄膜结果为岩盐相;0.25<x<0.5时,薄膜结构为混合相;x>0.5时,薄膜结构变成了纤锌矿相.掺杂Zn后,薄膜吸收边可以提升到3 eV左右,同时其电阻率为6.69×10-4?·cm,载流子浓度为7.92×1020 cm-3,与纯CdO薄膜电学性质相近.结论对CdO薄膜进行一定量的ZnO掺杂,可以在不影响其电学性质的前提下提高禁带宽度,从而使薄膜具有良好的光电性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	祝巍	中国科学技术大学物理学院物理实验教学中心	11	25	2.0	4.0
2	刘少煜	中国科学技术大学物理学院物理实验教学中心	1	0	0.0	0.0