稀土元素与In共掺对SnO2导电性能影响的第一性原理研究

• 作者: 康慧玲 张颖 王景芹
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 触头材料 能带和态密度 第一性原理 稀土与In共掺杂 电导率
• 年，卷（期）: 2017,（11）
• 页码范围: 2147-2153
• 页数: 7页
• 分类号: O484
• 字数: 3928字
• 语种: 中文

摘要

AgSnO2触头材料中的SnO2近乎绝缘,为了提高触头材料的电性能提出了稀土材料La、Ce、Y和In共掺杂的方法.采用基于密度泛函的第一性原理对SnO2以及单掺杂稀土元素的SnO2和共掺稀土元素和In的SnO2晶胞进行能带和态密度的计算.结果表明:掺杂后的材料仍旧是直接带隙半导体材料,都具有热稳定性,共掺杂可以进一步使得导带底、价带顶向费米能级附近移动,进而窄化带隙;共掺杂比单掺的电子有效质量小,电导率大,其中Y和In共掺杂的导电性最好.共掺杂比单掺稀土元素更能提高AgSnO2触头材料的导电性,为触头材料的发展提供了理论依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王景芹	河北工业大学省部共建电工装备可靠性与智能化国家重点实验室	117	645	13.0	20.0
2	张颖	河北工业大学省部共建电工装备可靠性与智能化国家重点实验室	51	140	7.0	9.0
3	康慧玲	河北工业大学省部共建电工装备可靠性与智能化国家重点实验室	4	9	2.0	2.0