凌力尔特推出高速、高压侧N沟道MOSFET驱动器LTC7001

• 来源期刊: 电源世界
• 学科: 工学
• 关键词: 凌力尔特 LTC7001 N沟道MOSFET 高频开关 栅极驱动 传播延迟 电源电压 德诺 电泵 转换时间
• 年，卷（期）: 2017,（7）
• 页码范围: 20-20
• 页数: 1页
• 分类号: TM407

摘要

近日,亚德诺半导体旗下凌力尔特公司（Linear Technology Corporation）推出高速、高压侧N沟道MOSFET驱动器LTC7001,该器件以高达150V电源电压运行。其内部充电泵全面增强了外部N沟道MOSFET开关,使其能够保持无限期接通。LTC7001强大的1Ω栅极驱动器可凭借非常短的转换时间和35ns传播延迟,非常方便地驱动栅极电容很大的MOSFET,因此很适合高频开关和静态开关应用。