基于原位等离子体氮化及低压化学气相沉积-Si3N4栅介质的高性能AlGaN/GaN MIS-HEMTs器件的研究

• 作者: 于国浩 付凯 张宝顺 张志利 李淑萍 蔡勇
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 氮化镓高电子迁移率晶体管 低压化学气相沉积 原位氮化
• 年，卷（期）: 2017,（19）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 279-286
• 页数: 8页
• 字数: 3060字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.66.197301

摘要

通过对低压化学气相沉积(LPCVD)系统进行改造,实现在沉积Si3N4薄膜前的原位等离子体氮化处理,氮等离子体可以有效地降低器件界面处的氧含量和悬挂键,从而获得了较低的LPCVD-Si3 N4/GaN界面态,通过这种技术制作的MIS-HEMTs器件,在扫描栅压范围VG-sweep=(?30 V,+24 V)时,阈值回滞为186 mV,据我们所知为目前高扫描栅压VG+(>20 V)下的最好结果.动态测试表明,在400 V关态应力下,器件的导通电阻仅仅上升1.36倍(关态到开态的时间间隔为100μs).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李淑萍	苏州工业园区服务外包职业学院纳米科技学院	26	89	6.0	7.0
2	张宝顺	中国科学院大学苏州纳米技术与纳米仿生研究所	13	29	3.0	5.0
3	于国浩	中国科学院大学苏州纳米技术与纳米仿生研究所	9	40	4.0	6.0
4	付凯	中国科学院大学苏州纳米技术与纳米仿生研究所	8	25	3.0	4.0
5	张志利	中国科学院大学苏州纳米技术与纳米仿生研究所	3	8	2.0	2.0
6	蔡勇	中国科学院大学苏州纳米技术与纳米仿生研究所	9	66	4.0	8.0