500kV CVT电磁单元部分单点发热缺陷分析处理

• 作者: 刘晓飞 王绪 白剑忠 陈钊
• 来源期刊: 电工技术
• 学科: 工学
• 关键词: 单点发热 速饱和阻尼器 涡流
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 电气工艺
• 页码范围: 168-169
• 页数: 2页
• 分类号: TM07
• 字数: 1568字
• 语种: 中文

摘要

针对一起500kV CVT电磁单元部分单点发热缺陷,经专项试验排除速饱和阻尼器本身故障后提出速饱和阻尼器与箱体触碰产生涡流发热的假设,并通过解体证实了该假设.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘晓飞		3	3	1.0	1.0
2	王绪		5	7	2.0	2.0
3	陈钊		2	3	1.0	1.0
4	白剑忠		6	6	1.0	2.0