超结领域的全球专利技术分析

• 作者: 周天微 王琳
• 来源期刊: 河南科技
• 学科: 物理学
• 关键词: 超结 专利分析 技术生命周期
• 年，卷（期）: 2017,（16）
• 所属期刊栏目: 专利导航
• 页码范围: 49-51
• 页数: 3页
• 分类号: O471
• 字数: 1985字
• 语种: 中文

摘要

超结结构突破了传统功率MOS器件的理论极限,被誉为功率MOS器件的里程碑器件.本文对超结领域全球的相关专利技术进行分析,从申请趋势、区域分布、主要申请人等多个角度进行深入挖掘,梳理超结技术的现状及发展趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周天微		3	1	1.0	1.0
2	王琳		5	4	1.0	2.0