p型多晶硅薄膜应变因子与掺杂浓度关系理论研究

• 作者: 揣荣岩 王健
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 多晶硅薄膜 应变因子 压阻系数
• 年，卷（期）: 2017,（24）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 213-220
• 页数: 8页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.66.247201

摘要

多晶硅薄膜具有良好的压阻特性,晶粒结构和掺杂浓度决定其压阻特性.一般通过调节掺杂浓度改变压阻参数,但现有的多晶硅薄膜压阻系数与掺杂浓度的理论关系和适用范围不够全面.为了完善多晶硅薄膜压阻理论,基于多晶硅纳米薄膜隧道压阻模型,以及硅价带和空穴电导质量随应力改变的机理,提出了一种p型多晶硅薄膜压阻系数算法.该算法分别求取了晶粒中性区和复合晶界区的压阻系数π11,π12和π44的理论公式,据此可以计算任意择优晶向排列多晶硅的纵向和横向压阻系数.根据材料的结构特性,求取了p型多晶硅纳米薄膜和普通多晶硅薄膜应变因子,绘制了应变因子与掺杂浓度的关系曲线,与测试结果比较,具有较好的一致性.因此,该算法全面和准确,对多晶硅薄膜的压阻特性的改进和应用具有重要意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王健	沈阳化工大学信息工程学院	49	161	7.0	11.0
2	揣荣岩	沈阳工业大学信息科学与工程学院	31	90	5.0	8.0