基于光源近场模型的LED光学扩展量测量方法

• 作者: 丁学专 孙秀辉 尹韶云 杜春雷 桂立 蔡文涛
• 来源期刊: 光子学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 非成像光学 光学扩展量 光源近场 发光二极管 光学设计
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 所属期刊栏目: 仪器,测量,度量学
• 页码范围: 180-185
• 页数: 6页
• 分类号: O432.2|O439
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/gzxb20174601.0112004

摘要

基于精确的LED光源近场模型,提出了一种LED光学扩展量测量方法.通过追迹LED近场光源模型中的光线数据,可获得LED光功率关于光学扩展量的关系曲线,直观反映出LED光源的光学扩展量特性和光能利用率等信息.以紫外曝光系统中的UV-LED阵列面光源为例,对三款不同型号的UV-LED进行了实际测量.通过测量得到的光学扩展量和光能利用率曲线,可以对UV-LED的光束质量作出判断,并为阵列面光源的优化设计提供帮助.