液相渗Si工艺制备2DCF/SiC复合材料中SiC晶粒的生长机制

• 作者: 刘海华 江品颐 黄向东
• 来源期刊: 复合材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 2DCF/SiC复合材料 液相渗硅 扩散 晶粒生长 溶解-沉淀 层错
• 年，卷（期）: 2017,（7）
• 所属期刊栏目: 金属和陶瓷基复合材料
• 页码范围: 1561-1568
• 页数: 8页
• 分类号: TB3333
• 字数: 4576字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13801/j.cnki.fhclxb.20161110.002

摘要

由液相渗硅工艺(LSI)制得了2D CF/SiC 复合材料, 经过XRD分析得知材料中SiC均为β相.经过同质量比的K3Fe(CN)6与KOH混合水溶液对其进行腐蚀, 由SEM观察腐蚀后2D CF/SiC 复合材料的形貌, 发现其中SiC呈现细等轴晶和粗大晶粒两种不同的形貌.分析认为LSI工艺制备2D CF/SiC 复合材料中生成的SiC有两种生成机制:Si原子通过空位机制向碳中扩散形成无定型SiC, 在保温过程中结晶形成细晶SiC层;C原子扩散进入熔融态硅中形成C-Si基团, 由于温度梯度和浓度梯度的存在, 在远离C/SiC界面处过饱和析出, 通过溶解-沉淀机制形成粗大的SiC晶体, 在晶粒的长大过程中伴随着层错的出现.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄向东	福州大学材料科学与工程学院	24	120	6.0	10.0
2	江品颐	福州大学材料科学与工程学院	2	1	1.0	1.0
3	刘海华	福州大学材料科学与工程学院	1	1	1.0	1.0